IGBT与MOSFET区别
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百硅半导体（深圳）有限公司，2018年成立于广东省深圳市，主营RUBYCON电解电容、MOSFET等，专业权威，经验丰富。
导读：
本文深入浅出地解析IGBT与MOSFET在结构原理、适用场景和性能特点三大维度的差异，帮助工程师快速掌握两种功率器件的选型逻辑。
一、结构原理大不同
IGBT和MOSFET就像电力电子界的「混血儿」与「纯种马」：
- IGBT：结合了MOSFET的栅极控制和BJT的大电流特性，内部多了一层P+注入区（俗称「缓冲层」），就像给MOSFET穿了件防弹衣
- MOSFET：纯靠栅极电场控制导电沟道，结构简单得像单层三明治，导通时电子潇洒地单向流动
有趣的是：IGBT关断时会有「拖尾电流」，就像刹车时多滑行的几米，而MOSFET说停就停。
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