寻源宝典伏安法测二极管的误差分析
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上海森港电子科技有限公司
上海森港电子科技有限公司,2013年成立于上海市,主营IGBT模块、可控硅等,专业权威,经验丰富。
介绍:
本文探讨伏安法测量二极管特性时的误差来源,包括仪器精度、接线方式、温度影响及非线性特性导致的系统误差和随机误差,并提出相应优化建议。
一、仪器精度带来的基础误差
伏安法测量就像用体重秤称珍珠——仪器分辨率不足会掩盖真实数据。数字万用表较低量程200mV时,二极管导通电压(硅管约0.7V)测量误差可能达±1.5%。更棘手的是电流档内阻产生的压降:当测试1mA电流时,普通万用表内阻300Ω会产生0.3mV附加误差,这相当于硅管开启电压的0.4%。
二、接线方式引发的隐藏误差
测量电路就像水管系统,接触电阻是漏水的阀门。四线制测量能消除导线电阻影响,但90%的实验室仍采用两线制:
电压测量误差:导线电阻分压导致测得值比实际低5%-8%
电流漂移:接触不良会使工作电流波动±10%
热电动势干扰:不同金属接触产生μV级温差电势
三、环境与非理想特性的综合影响
二极管就像对温度敏感的精灵,环境温度每升高1℃,正向压降下降2mV。反向电流更夸张:25℃时1nA的漏电流,75℃时会暴涨1000倍!测试时还需注意:
测试速度:快速扫描会因结电容产生滞后曲线
功率限制:持续大电流会导致结温升高,使特性曲线右移
光照干扰:光电效应会使暗电流测量值偏高
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