CMOS分辨测试电路
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导读:
本文解析CMOS电路中如何识别测试功能模块,从电路设计特征、信号路径分析到功能验证方法,提供系统性的判断思路。
一、测试电路的物理特征
CMOS测试电路就像藏在主电路里的"小彩蛋",通常有这些明显标识:
冗余结构:重复的逻辑单元或非常规晶体管排列
独立端口:额外预留的测试引脚(如TDI/TDO)
隔离设计:用保护环或深N阱与其他电路物理分隔
非标尺寸:晶体管沟道宽度异常(例如统一为最小尺寸)
二、信号路径追踪技巧
用万用表示波器玩"电路侦探游戏"时重点关注:
异常路径:连接时钟树但无实际功能的走线
控制信号:以TEST、SCAN开头的网络标签
寄生元件:并联在正常路径上的伪负载电容
电源特性:测试模块常使用独立VDD测试引脚
三、功能验证三板斧
没有电路图时也能验证测试功能:
电压扫描法:逐步升高供电电压,测试电路通常在1.8V-3.3V区间会率先响应
热成像观察:测试模式激活时相关区域温升比主电路快20%-40%
信号注入法:在可疑节点注入脉冲信号,观察是否触发特定时序波形
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