寻源宝典MOS管击穿的几种情况
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深圳源芯半导体有限公司
深圳源芯半导体有限公司,2013年成立于广东省深圳市,主营英国DDS传感器、TE泰科继电器等,产品多样,权威可靠。
介绍:
本文详细解析MOS管在电路应用中常见的击穿现象,包括过压击穿、静电损伤和热失控三种典型情况,帮助工程师理解失效机理并采取预防措施。
一、电压超限引发的灾难
当MOS管承受超过额定VDS的电压时,就像气球充气过量会爆炸一样:
雪崩击穿:漏极电压突破临界值,电子如雪崩般涌入耗尽层
栅极穿透:栅氧层在高压下形成导电路径,产生不可逆损伤
典型场景:感性负载断开时产生的反向电动势
二、静电放电的隐形杀手
人体携带的静电足以摧毁娇贵的MOS管栅极:
接触放电:徒手操作时3000V静电瞬间释放
感应放电:未接地的电烙铁产生感应电压
防护要点:工作台铺设防静电台垫,焊接时先断电
三、高温下的恶性循环
热失控就像多米诺骨牌效应:
RDS(on)正温度系数:温度↑→阻抗↑→发热↑
散热不足:PCB铜箔面积不足或未加散热器
连锁反应:局部热点导致电流集中,最终烧毁沟道
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