半导体中ALD是什么

一、ALD的全称与基本原理

ALD是Atomic Layer Deposition（原子层沉积）的缩写，就像给芯片表面「穿纳米级雨衣」的技术。它通过交替通入不同前驱体气体，在基底表面发生自限制性化学反应，实现单原子层级别的薄膜生长。每次反应都像乐高积木一样精准堆叠，误差可控制在1个原子层以内。

二、半导体制造的精密工具

在7nm以下制程中，ALD技术展现出不可替代的优势：

1. 三维覆盖：能完美包裹晶体管鳍片结构，解决传统PVD的覆盖死角问题

2. 厚度控制：生长氧化铝薄膜时，每循环增加约0.1nm，适合制造高K介质层

3. 低温工艺：某些ALD工艺可在200℃以下进行，避免损伤已有器件结构

三、先进技术的关键推手

ALD技术正在推动半导体行业突破物理极限：

• 存储芯片：制造3D NAND的阶梯接触孔，深宽比超过100:1仍能均匀镀膜

• 逻辑芯片：为GAA晶体管沉积栅极介质，厚度波动小于0.3nm

• 新兴领域：量子点、二维材料器件的界面工程都依赖ALD的原子级精度

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