寻源宝典半导体光刻工艺流程
·

上海锦町新材料科技有限公司
上海锦町新材料,2012年成立于上海闵行,主营多种合金铜等金属材料,专业权威,经验丰富,服务多领域,可进出口。
介绍:
本文详细解析半导体制造中的光刻工艺流程,包括光刻胶涂覆、曝光显影和蚀刻三大核心步骤,帮助读者理解芯片制造的精密工艺。
一、光刻胶涂覆:芯片的“防晒霜”
光刻工艺的第一步就像给硅片涂防晒霜。旋转涂胶机以每分钟3000转的速度将光刻胶均匀铺开,形成厚度仅1-3微米的薄膜。这里有两个关键点:
粘度控制:胶体粘度需稳定在15-20cP,否则会出现条纹
烘烤固化:前烘温度95℃持续90秒,让溶剂挥发而不触发化学反应
二、曝光显影:用光雕刻电路
这是最烧钱的步骤,一台EUV光刻机价值10亿元。当紫外线穿过掩膜版,会在光刻胶上投射出纳米级图案:
深紫外DUV:用于14nm以上制程,波长193nm
极紫外EUV:突破7nm瓶颈,波长仅13.5nm
显影魔法:碱性溶液溶解被曝光区域,像照片显影般浮现电路图形
三、蚀刻转移:从胶膜到硅晶
最后把图案长久刻在硅片上,分干湿两种蚀刻方式:
干法蚀刻:等离子体轰击,精度可达原子级
湿法蚀刻:化学溶液浸泡,适合大尺寸结构
去胶清洁:用氧等离子体去除残留光刻胶,完成整套“微雕”工艺
想找特定场景使用的产品?爱采购能根据需求精准匹配推荐。为您找到您心中的专属商品




