半导体TSV和键合区别

上海锦町新材料科技有限公司

2026-06-07 02:46:22

上海锦町新材料科技有限公司

法人:宋维磊通过主体资质核查

上海锦町新材料，2012年成立于上海闵行，主营多种合金铜等金属材料，专业权威，经验丰富，服务多领域，可进出口。

介绍：

本文解析半导体TSV（硅通孔）和键合技术的核心差异，从原理、应用场景到工艺特点进行对比，帮助读者理解两种技术在芯片封装中的不同作用与优劣势。

一、原理差异：立体连接vs平面粘接

TSV（Through-Silicon Via）像在硅片上打微型电梯井，通过垂直贯穿硅片的导电通道实现多层芯片的立体互联。键合技术则是将两片晶圆或芯片面对面"贴"在一起，依赖表面金属层（如铜-铜）或介质层（如SiO₂）的分子间作用力形成平面连接。

TSV需经历深硅刻蚀、绝缘层/阻挡层/种子层沉积、电镀填孔等20+工序，对深宽比控制要求严苛（典型值5:1~10:1）。键合工艺则分为：

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