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MOS开关有压降吗
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北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸，2004年成立于海淀区，专营电子元件等，服务多领域，技术进出口经验丰富，专业权威。
介绍：
本文解析MOS开关在导通状态下的压降现象，解释其产生原理及影响因素，帮助读者理解MOS管在实际电路中的表现。
一、MOS开关压降的必然性
MOS管导通时就像一条电子高速公路，但收费站（沟道电阻）总要收点过路费。这个过路费就是压降：
导通电阻（RDS(on)）：决定压降大小的核心参数，优质MOS管可低至几毫欧
电流大小：10A电流通过10mΩ电阻会产生100mV压降
温度影响：高温下导通电阻增大，压降同步升高
二、压降从哪来
沟道电阻：电子穿越半导体沟道时的自然阻力
封装阻抗：引脚和键合线的附加电阻
体二极管：某些拓扑结构中体二极管导通时的固定压降（约0.7V）
三、如何与压降和平共处
选型策略：大电流场景优先选择RDS(on)小的型号
散热设计：控制温升可保持较低导通电阻
拓扑优化：同步整流架构能规避体二极管压降
并联使用：多管并联可有效分担电流降低总压降
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