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NMOS作二极管接法
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深圳市沛城电子科技股份有限公司
深圳市沛城电子科技股份有限公司，2004年成立于广东省深圳市，主营自主研发设计BMS保护板、专业元器件代理商等，专业权威，经验丰富。
介绍：
本文解答NMOS晶体管用作二极管时栅极(G)的正确连接方式，分析其工作原理及实际应用中的注意事项，帮助读者理解这种非典型连接方法的优势与局限。
一、NMOS二极管的正确接法
当NMOS被当作二极管使用时，栅极(G)必须与漏极(D)短接。这种接法利用MOSFET的体二极管特性：
电流只能从漏极流向源极
正向导通压降约0.7V（与普通二极管相当）
反向截止时依靠PN结隔离
二、为什么不能接源极？
若将栅极接源极(S)，NMOS会完全失去二极管功能：
导通失效：Vgs=0使沟道无法形成
体二极管反向：源极掺杂浓度高导致反向击穿电压低
无用功耗：漏电流可能达到毫安级
三、实际应用中的三大要点
这种接法常见于集成电路设计，需特别注意：
开关速度比普通二极管快3-5倍
布局时避免栅极走线过长引入寄生电容
高温环境下漏电流可能增加10倍
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