MOS管IG漏电用EMMI定位

一、EMMI技术原理

EMMI（Emission Microscopy）就像给芯片做CT扫描，能捕捉漏电产生的微弱光子。当MOS管IG出现异常漏电时，缺陷位置会发射特定波长的光，EMMI系统通过高灵敏度相机捕获这些信号，再经图像处理锁定漏电坐标，定位精度可达1微米。

二、操作四步法

1. 样品制备：去除封装暴露芯片，注意避免机械损伤

2. 参数设置：根据漏电流大小调整积分时间（通常10-60秒）

3. 信号采集：在暗室环境下进行多区域扫描

4. 热点分析：比对正常区域与异常区域的发光强度差异

三、关键注意事项

• 环境控制：需在无尘环境中操作，避免杂散光干扰

• 电压选择：建议使用80%额定电压供电，既激发缺陷又防止二次损伤

• 数据解读：强发光点不一定是源头，需结合IV曲线验证

• 安全防护：佩戴防静电手环，防止ESD损坏样品

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