TB6612芯片内部探秘
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深圳市芯齐壹科技，地处福田区华强北，专营多种芯片等电子产品，2020年成立，专业权威，经验丰富，技术精湛。
导读：
本文深入解析TB6612电机驱动芯片的内部结构，包括其核心模块组成、工作原理及性能特点，帮助读者全面了解这款常用驱动芯片的设计精髓。
一、核心模块组成
TB6612内部就像微型交通枢纽，包含三个关键区域：
- H桥驱动阵列：两组对称的MOSFET组成双向电流通道
- 逻辑控制单元：接收PWM信号并转化为驱动指令
- 保护电路：集成过流/过热/欠压三重防护机制
二、电流流动路径
当芯片工作时，电流经历奇妙旅程：
- 电源输入端→电荷泵升压→栅极驱动器→MOSFET开关
- 每路H桥可承受1.2A持续电流（峰值3.2A）
- 待机模式下电流降至1μA级
三、热管理设计
芯片背部金属板暗藏玄机：
- 热阻仅15℃/W的散热路径设计
- 温度超过150℃自动切断输出
- 多区块供电隔离减少热耦合
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