MOS管阈值电压提取法

一、转移特性曲线法

如同给MOS管画‘心电图’，此法通过测量漏极电流与栅极电压关系曲线确定阈值电压。当曲线线性区与饱和区转折点对应的栅压即为阈值电压，适用于大多数增强型MOS管。操作时需注意：

1. 保持漏极电压在较小范围（如50mV）
2. 排除界面态电荷对曲线的干扰
3. 环境温度建议控制在25±2℃

二、跨导极值定位法

抓住电流变化的‘加速度’拐点，通过求取跨导（gm）对栅压的一阶导数极值点定位阈值电压。这种方法特别适合：

1. 低掺杂衬底的MOS器件
2. 存在明显迁移率退化的情况
3. 需要消除串联电阻影响的场景

实验时建议采用1μA量级步长扫描电压。

三、恒定电流基准法

设定特定电流值作为阈值判断标准，通常取（W/L）×10nA的漏电流对应的栅压。好比用固定标尺测量身高，优势在于：

1. 规避曲线拟合的主观性
2. 适合自动化测试系统
3. 对短沟道器件误差较小

需根据工艺节点调整基准电流，28nm工艺推荐用0.1μA/μm。

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