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国产存储芯片突围战
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深圳市德科创科技有限公司
深圳市宝安区德科创科技，2015年成立，专注电子元器件领域，产品丰富，技术专业，经验深厚，权威性高。
介绍：
本文盘点国内半导体存储芯片领域的主要替代方案，从NOR Flash到DRAM的国产化进展，分析技术突破与市场格局变化，为产业链相关从业者提供参考。
一、NOR Flash国产三剑客
在代码存储领域，国内企业已实现从追赶到并跑：
兆易创新：GD25系列覆盖1.8V-3.3V全电压，擦写寿命达10万次
东芯半导体：主打小容量低功耗产品，静态电流低至1μA
普冉股份：采用40nm工艺的PY25Q系列，读取速度提升至133MHz
二、NAND闪存破局者
3D NAND技术国产化取得关键进展：
长江存储：Xtacking架构实现128层量产，IO速度达1.6Gbps
长鑫存储：推出4bit/cell QLC产品，单颗容量达1Tb
宏芯微电子：专注工业级eMMC，-40℃~85℃宽温运行
三、DRAM的攻坚之路
动态存储器国产化难度较大但已有突破：
合肥长鑫：19nm工艺DDR4芯片通过主流厂商验证
福建晋华：利基型DRAM应用于智能家电领域
紫光国微：特种DRAM满足航天、军工等特殊需求
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