寻源宝典2017年芯片制程大揭秘
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深圳和润天下电子科技有限公司
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介绍:
本文揭秘2017年主流芯片的纳米制程,解析台积电、三星、英特尔等厂商的技术路线,并探讨制程升级对性能提升的实际影响。
一、2017年主流芯片制程全景
如果把芯片比作城市,纳米制程就是道路宽度。2017年的芯片江湖呈现三足鼎立:
台积电:16nm工艺已量产2年,10nm进入试产阶段
三星:14nm FinFET技术成熟,8nm研发中
英特尔:14nm++工艺优化,10nm难产中这一年最有趣的现象是:台积电16nm与三星14nm实际性能接近,就像两条不同规格的高速公路,载货量(晶体管密度)相差无几。
二、制程数字背后的技术博弈
别被数字骗了!2017年的纳米制程充满营销智慧:
命名艺术:三星的14nm比台积电16nm数字小,但实际晶体管密度仅高5%
工艺优化:英特尔通过「超频技术」让14nm芯片性能接近友商10nm
材料创新:台积电首次在16nm引入钴互连,降低15%电阻当时有工程师戏称:「制程数字就像手机像素,堆到一定数值就要比算法优化了。」
三、制程升级的真实收益
从28nm到16nm,芯片性能提升有多实在?
功耗:同等性能下降低40%(手机续航显著提升)
面积:晶体管密度翻倍,让手机SoC集成更多功能模块
成本:单片晶圆成本上升30%,但芯片数量增加50%但过度追求制程也带来隐患:2017年三星14nm芯片因漏电问题导致部分手机发热异常,这提醒我们:制程不是越小越好,适合的才是理想的。
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