EL357芯片参数解析

深圳市芯齐壹科技有限公司

2026-03-12 15:18:15

深圳市芯齐壹科技有限公司

法人:林冬娜通过真实性核验

深圳市芯齐壹科技，地处福田区华强北，专营多种芯片等电子产品，2020年成立，专业权威，经验丰富，技术精湛。

介绍：

本文详细解析EL357光耦芯片的关键参数，包括输入输出特性、隔离性能和响应速度，帮助工程师快速掌握该器件的技术特点。

一、核心电气参数

EL357作为经典光耦器件，其输入侧采用GaAs红外LED，典型驱动电流为5mA时，正向压降约1.2V。输出端配置光敏晶体管，集电极-发射极击穿电压达70V，最大连续电流50mA。在IF=5mA条件下，电流传输比(CTR)范围为50%-600%，这个宽泛区间源于工艺特性，实际应用需预留设计余量。

该芯片具备3750Vrms的交流隔离电压（1分钟测试），输入输出间电容典型值仅0.6pF。开关特性方面，上升时间3μs、下降时间2μs（RL=100Ω时），适合10kHz以下的数字信号隔离传输。值得注意的是，其共模抑制比(CMR)在dV/dt=1kV/μs时仍能保持15kV/μs的抗干扰能力。

工作温度范围覆盖-55℃至+110℃，在Ta=25℃环境下可承受260mA的瞬时脉冲电流（宽度100μs）。长期稳定性方面，CTR年衰减率小于5%（IF=5mA，Ta=85℃测试条件）。封装采用DIP-4标准规格，爬电距离达到5mm，符合常规工业环境需求。

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