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lm198h

更新时间:2026-06-29

概述

LM198H是National Semiconductor(现属TI)推出的精密电压基准芯片,采用埋入式齐纳二极管技术,在工业级温度范围内(-40℃至+85℃)具有优异的稳定性。 作为电路设计中的『电压锚点』,其性能直接影响整个系统的测量精度。资深电子工程师常将其用于对精度要求苛刻的场合,如高精度ADC/DAC参考源、精密仪器仪表校准基准等。

结构与原理

LM198H/883 电子元器件 NS 封装CAN8 批次1239+深圳市康飞半导体有限公司

核心采用温度补偿型埋入齐纳二极管结构,通过晶圆级激光修调实现超高初始精度。内部集成加热元件和温度传感器构成闭环温控系统。 这种设计使温度系数低至3ppm/℃(典型值),远优于普通基准源的10-20ppm/℃。输出电压通过精密电阻分压网络产生,典型值为10.000V,也可通过外部电阻微调。

主要特点

初始精度达±0.05%(A级),B级为±0.1%。长期稳定性指标为50ppm/1000小时,这意味着连续工作一年后漂移仅约0.5mV。 噪声性能优异,0.1-10Hz频带噪声仅6μVp-p。工作电流约1.5mA,具有短路保护功能。采用TO-46金属封装和SOIC-8表贴封装,适应不同应用场景。

应用领域

工业自动化控制系统是主要应用领域,如PLC模拟量模块、过程控制仪表等。在高精度数据采集系统中,常作为24位ADC的参考电压源。 测试测量设备如6位半数字万用表、校准源等依赖其稳定性。在军事和航空航天领域,经过筛选的军品级LM198H用于关键任务电子系统。

维护与注意事项

LM198H 电子元器件 NS 封装CAN8 批次1128+深圳市康飞半导体有限公司

实际应用中需特别注意PCB热设计。建议使用大面积铜箔作为热沉,避免安装在发热元件附近。电源引脚必须就近布置0.1μF陶瓷电容和10μF钽电容组合去耦。 焊接时应控制温度不超过260℃(10秒),避免热冲击。长期不使用时建议保存在防静电包装中,存放环境湿度控制在60%以下。

B2B采购指南

采购需明确等级(A级精度更高)、封装形式(TO-46更适合高温环境)和温度范围(工业级或军用级)。市场上存在翻新件,建议通过授权代理商采购。 价格受等级和封装影响,工业级TO-46封装约15-25美元/片,SOIC-8封装约10-18美元/片。批量采购可洽谈折扣,但需注意交期通常为8-12周。

常见问题

LM198H如何校准?

可通过精密电位器微调输出电压,但建议在恒温环境下进行。专业校准需使用6位半以上数字表,校准周期一般为1年。

与LM199有什么区别?

LM199温控更精密(0.5ppm/℃),但功耗更高(约30mA),适合极端环境。LM198H在性价比和性能间取得更好平衡。

输出电压不稳定怎么办?

首先检查电源质量,然后测量芯片温度是否均匀。长期漂移超差通常需更换,这是基准芯片的正常老化现象。

能直接驱动ADC吗?

输出电流有限(约10mA),驱动高精度ADC时建议增加缓冲放大器,如OPA227等低噪声运放。

替代型号有哪些?

REF102(TI)、ADR431(ADI)是同类产品,但引脚不兼容。更换需重新设计电路,建议评估长期稳定性数据。

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