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cl21b103kdannnc

更新时间:2026-07-03

概述

CL21B103KDANNNC是一款金属化聚酯薄膜电容器,适用于电子电路中的滤波、耦合和能量存储等应用。在电子设计工程师的实际应用中,这类电容器因其稳定的性能和较低的成本而广受欢迎。 该电容器采用金属化聚酯薄膜作为介质,具有良好的电气性能和机械强度。其命名中的“103”表示电容值为10nF,属于常用的小容量电容器之一。

结构与原理

CL21B103KDANNNC深圳市安桐派科技有限公司

CL21B103KDANNNC由金属化聚酯薄膜卷绕而成,两端通过金属电极引出。其工作原理基于电容器的基本特性,即存储电荷并在电路中提供电容值。 在实际应用中,这种结构设计使得电容器具有较低的等效串联电阻(ESR)和较高的频率响应,适合用于高频电路。

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主要特点

CL21B103KDANNNC具有高稳定性和低损耗特性,适用于各种电子电路设计。其电容值稳定,温度系数较小,适合在宽温度范围内工作。 此外,该电容器的尺寸紧凑,易于在PCB板上布局和焊接,适合高密度电子组装。

应用领域

CL21B103KDANNNC广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制和汽车电子等领域。在电源滤波电路中,它常用于去除高频噪声,提高电源质量。 在信号耦合电路中,该电容器用于传递交流信号同时阻断直流分量,确保信号传输的稳定性。

维护与注意事项

CL21B103KDANNNC 电子元器件 SAMSUNG 封装SMD0805 批次2021+深圳市安桐派科技有限公司

使用CL21B103KDANNNC时,应避免超过其额定电压和温度范围,否则可能导致性能下降或损坏。在焊接过程中,建议控制焊接温度和时间,避免过热损坏电容器。 储存时应保持干燥,避免潮湿环境导致电容器性能劣化。

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B2B采购指南

采购CL21B103KDANNNC时,需明确电容值、电压等级和温度系数等关键参数。建议选择信誉良好的供应商,确保产品质量和交货周期。 价格受市场供需和原材料成本影响,批量采购通常有较大折扣。常见品牌包括Murata、TDK、Vishay等,国产替代品性价比更高。

常见问题

CL21B103KDANNNC的电容值是多少?

命名中的“103”表示电容值为10nF(10×10^3 pF)。

该电容器适用于高频电路吗?

是的,金属化聚酯薄膜电容器具有较低的ESR,适合高频应用。

如何判断电容器的质量?

可通过测量电容值、损耗角正切(tanδ)和绝缘电阻等参数来判断质量。

该电容器的温度范围是多少?

通常工作温度范围为-55°C至+105°C,具体需参考产品规格书。

焊接时需要注意什么?

建议使用适当的焊接温度和时间,避免过热损坏电容器。

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